技术参数：
少子寿命测定仪；技术指标：测试单晶电阻率范围：>2Ω.cm；可测单晶少子寿命范围：5μS～7000μS；配备光源类型：波长：1.09μm；余辉<1μS；闪光频率为：20～30次／秒；闪光频率为：20～30次／秒；高频振荡源：用石英谐振器，振荡频率：30MHz；前置放大器：放大倍数约25，频宽2 Hz-1MHz；仪器测量重复误差：<±20％；测量方式：采用对标准曲线读数方式；仪器消耗功率：<25W；仪器工作条件：温度：10-35℃、湿度<80％；使用电源：AC 220V，50Hz；可测单晶尺寸：断面竖测：φ25mm—150mm； L2mm—500mm；纵向卧测：φ25mm—150mm；L 50mm—800mm；配用示波器：频宽0—20MHz；电压灵敏：10mV/cm；产地：中国
产品描述：
尚尤提供此款少子寿命测试仪;
该仪器用于测量硅单晶的非平衡少数载流子寿命;参考美国 A.S.T.M 标准而设计。仪器灵敏度高，配备有红外光源，可测量包括IC级硅单晶在内的各种类型硅单晶，以及经热处理后寿命骤降的硅单晶、多晶磷检棒的寿命测量等；
测试单晶电阻率范围：>2Ω.cm；
可测单晶少子寿命范围：5μS-7000μS；
配备光源类型：红外光源，波长：1.09μm；
