| 用途： |
用于制合金、有机硅化合物和四氯化硅等，是一种极重要的半导体材料。 |
| 制备或来源： |
无定形硅可用镁还原二氧化硅而得。晶体硅可用碳在电炉中还原二氧化硅而制得。超纯度的硅为就个9至十个9，可在高温下用氢使四氯化硅或三氯化硅还原或加热使碘化硅分解而得。单晶硅是经区域熔炼法拉制得。 |
| 其他： |
原子序数14，原子量28.0855。化合价+4。
氧化物离解能（Do）：8.3（eV）
元素电离能（Ei）： 8.15（eV）
主要吸收线及其主要参数：
┌────┬───┬──┬──┬───┬───┬───┐
│λ(nm) │ f │ W │ F │ S* │ CL │ R·S │
├────┼───┼──┼──┼───┼───┼───┤
│251.6 │0.26 │ 0.2│N-A │2.0 │0.5 │1.0 │
│250.7 │0.2 │ 0.7│N-A │10 │ │2.8 │
│251.4 │0.54 │ 0.2│N-A │10 │ │ │
│252.8 │ │ 0.2│N-A │ │ │3.2 │
│252.4 │ │ 0.2│N-A │ │ │3.7 │
│221.7 │ │ 0.2│N-A │ │ │4.7 │
│251.9 │ │ 0.2│N-A │ │ │ │
│221.1 │ │ 0.2│N-A │ │ │8 │
│288.2 │ │ 0.2│N-A │50 │ │ │
│220.8 │ │ │N-A │ │ │ │
└────┴───┴──┴──┴───┴───┴───┘
λ：波长
f：振子强度
W：单色器光谱通带
N-A（氧化亚氮-乙炔焰）
S*：元素的特征浓度（1%吸收灵敏度）
CL：元素的检测极限
R·S：同一元素主要吸收线间的相对灵敏度
F：火焰类型
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